规格书 |
FDB13AN06A0, FDP13AN06A0 |
文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
标准包装 | 400 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 62A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 13.5 mOhm @ 62A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 29nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1350pF @ 25V |
功率 - 最大 | 115W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tube |
最大漏源电阻 | 13.5@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220 |
最大功率耗散 | 115000 |
最大连续漏极电流 | 10.9 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 10.9A (Ta), 62A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 400 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 13.5 mOhm @ 62A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 115W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1350pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 29nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 10.9 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 115 W |
安装 | Through Hole |
漏源导通电阻 | 0.0135 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-220 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 60 V |
弧度硬化 | No |
晶体管类型 | :MOSFET |
Weight (kg) | 0.00181 |
Tariff No. | 85412100 |
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